مقاله بررسی عملکرد حرارتی و الکتریکی FinFET با محصور کردن دیوارهای کناری گیت فاصله هوایی
زبان لاتین
فرمت PDF
ما مزایای بالقوه استفاده از مهندسی فضا برای بهبود ویژگیهای الکتریکی و حرارتی انبوه FinFET را بررسی میکنیم. براساس مطالعه مقایسهای پنج پیکربندی مختلف فضانوردی، فضاساز با شکاف هوا و لایه کپسوله ساز Si۳N۴ به عنوان امیدوارکنندهترین طرح دیوار کناری گیت برای گره فنآوری پیشرفته به دلیل کاهش تاخیر ذاتی و بهبود سرکوب SHE ها در نظر گرفته میشود. بررسی بیشتر فضانوردان فاصله هوایی احاطه شده با Si۳N۴ نشان میدهد که پارامترهای ساختار فضانوردان اثرات مدولاسیون بر روی عملکرد دستگاه دارند. با تحلیل پارامترهای ویژگی رژیم RF نرمال شده، آنالوگ، دیجیتال، حرارتی و زیرآستانه، پنجره درصد فاصله هوایی مناسب و پارامترهای ساختار فاصله فضایی بهینه ۱۴ nm Bulk FinFET ارائه شدهاند.
:We explore the potential benefits of using spacer engineering to improve Bulk FinFET electrical and thermal characteristics. Based on the comparative study of five different spacer configurations, the spacer with encased air-gap and Si3N4 encapsulation layer is regarded as the most promising gate sidewall scheme for the advanced technology node due to the reduced instinct delay and improved SHEs suppression. The further investigation of the encased air-gap spacer with Si3N4 demonstrates that spacer structure parameters have modulation effects on device performance. With the analysis of the normalized RF, analog, digital, thermal and subthreshold regime property parameters, the suitable air-gap percentage window and the determined optimum spacer structure parameters of 14nm Bulk FinFET are proposed.
مبلغ قابل پرداخت 15,000 تومان
برچسب های مهم