پروژه 24

دانلود پاورپوینت آموزش درس الکترونیک دیجیتال

تعداد اسلاید: 77

فرمت: ppt

ترانزیستورهای MOS بدلیل اینکه میتوان تعداد زیادی از آنها را در یک مدار مجتمع جا داد و همچنین بدلیل سهوات نسبی قرایند ساخت آنها بصورت گسترده ای در مدارات دیجیتال مورد استفاده هستند. امروزه میتوان ده ها میلیارد ترانزیستور را در یک مدار مجتمع نمود.

ترانزیستور MOS

نواحی سورس و درین با ایجاد دو نیمه هادی نوع n با دوپینگ بالا از طریق فرایندهای نفوز و یا کاشت یونی در داخل یک نیمه هادی پایه p که بدنه نامیده میشود بوجود می آیند. یک لایه نازک Sio2 ( تقریبا ۵۰ آنگستروم) برروی ناحیه کشیده میشود که اکسید گیت نامیده میشود. لایه ای از یک ماده رسانا نظیر پلی سیلیکون بر روی اکسید گیت کشیده میشود. ترانزیستورهای MOS با استفاده از اکسید ضخیم SIO2 و دیودهای معکوس pn+ از همدیگر جدا میشوند.